碳化硅（SiC）是性能优异的第三代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、化学稳定性好、电子饱和漂移速度高等优点。
MORE+碳化硅（SiC）是性能优异的半导体材料，具有禁带宽度大、高热导率、高击穿电场、本征温度高、抗辐射、电子饱和漂移速度高等优点。
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北京世纪金光半导体有限公司（以下简称“世纪金光”）是一家致力于第三代宽禁带半导体功能材料和功率器件研发与生产的国家级高新技术企业。公司成立于2010年12月24日，注册资金26,613万元......
2019年8月底，世纪金光半导体模块产品再添新成员，推出可满足大功率转换应用的1200V/600A全SiC模块新品。本产品通过全新的模块内部
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